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MOSFET-Gatetreiber mit 50 V Nennspannung

Bild: Diodes
Die Gatetreiber sollen in batteriebetriebenen Anwendungen wie Akkuschraubern und Handstaubsaugern Verwendung... mehr...

Zur Ansteuerung von zwei n-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration hat Diodes die Gatetreiber-ICs DGD0506 und DGD0507 auf den Markt gebracht. Mit einer Nennspannung von 50 V sollen sie für die Motorsteuerung in batteriebetriebenen Anwendungen eingesetzt werden. Eingänge auf Logikpegel (ab 2,5 V) erlauben den direkten Anschluss an 3,3-V-Mikrocontroller, während der Ausgang Spannungen bis zur Versorgungsspannung (8 bis 14 V) unterstützt. Die Strombelastbarkeit beträgt 1,8 A (Source) beziehungsweise 2,4 A (Sink).

Im 3 mm x 3 mm großen DFN-Gehäuse enthalten die Gatetreiber eine Bootstrap-Diode, um die Zahl der benötigten Bauelemente und den Platzbedarf zu verringern. Der DGD0506 benötigt nur einen Eingang, und seine Totzeit lässt sich zwischen 70 und 420 ns programmieren. Für kürzere Totzeiten weist der DGD0507 getrennte High- und Low-Side-Eingänge auf, wodurch er höhere Schaltfrequenzen ermöglicht.

- von dar
 
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