TVS-Dioden schützen Highspeed-Schnittstellen in mobilen Geräten

Bild: Toshiba
4-Bit- und 2-Bit-TVS-Dioden für Signalspannungen von 3,3 oder 5,0 V

Toshiba Electronics Europe hat die Markteinführung der neuen Multibit-TVS-Dioden (Transient Voltage Suppressor) mit niedriger Kapazität angekündigt, die Highspeed-Schnittstellen in Smartphones, Tablets und Wearables vor elektrostatischen Entladungen (ESD) und Überspannung schützen. Die Produkte DF5G5M4N, DF5G6M4N, DF6D5M4N und DF6D6M4N bieten Schutz für unterschiedliche Highspeed-Schnittstellen, einschließlich USB Type-C und HDMI.

Die TVS-Dioden weisen laut Toshiba einen geringen dynamischen Widerstand und eine niedrige Klemmspannung auf. Sie sind in kleinen LGA-Gehäusen untergebracht – einem 1,3 x 0,8 mm² großen DFN5 für 4 Bit oder einem 1,25 x 1,0 mm² DFN6 für 2 Bit. Da das Gehäuse direkt auf der Highspeed-Busleitung platziert werden kann, ist ein einfaches Platinenlayout möglich. Das Flow-Through-Design zusammen mit der typischen Diodenkapazität von 0,2 pF bewirkt eine minimale Signalverzerrung an Highspeed-Schnittstellen.

- von skr
 
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