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100-Volt-MOSFETs mit geringem Durchlasswiderstand

Toshiba Electronics Europe hat die Serie U-MOS VIII-H um zwei n-Kanal-Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs erweitert. Sie sind für Anwendungen wie Schnellladegeräte, Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler ausgelegt. Beide 100-V-MOSFETs unterstützen 4,5-V-Logic-Level-Ansteuerung. Das ermöglicht die pufferlose Ansteuerung vom Controller-IC, was den Energiebedarf senkt.

Gefertigt im Niederspannungs-Trench-Prozess erreichen die Leistungsbausteine geringe Durchlasswiderstände und schnelles Schaltverhalten. Der TPH6R30ANL-MOSFET verkraftet Stromstärken bis 45 A und hat einen RDS(ON) ab 6,3 mΩ, während der TPH4R10ANL mit 70 A und 4,1 mΩ überzeugt. Geliefert werden sie im Standardgehäuse SOP-Advance mit 5 x 6 mm² Grundfläche.

Die MOSFETs verbessern den FoM-Faktor (Figure-of-Merit) und steigern dadurch die Leistungsfähigkeit bei Schaltanwendungen. Die geringe Ausgangsladung reduziert Ausgangsverluste, was zu einer höheren Systemeffizienz beiträgt. Sie eignen sich auch für Schaltnetzteile mit hoher Ausgangsleistung, wie sie nach dem USB-3.0-Standard benötigt wird. 

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