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1200-Volt-Siliziumkarbid-FETs

Entwickler von Leistungsfaktorkorrekturstufen, aktiven Frontend-Gleichrichtern, LLC-Wandlern und Phasenschieber-Vollbrückenwandlern können jetzt die Leistungsfähigkeit ihres Systems durch die die SiC-JFET-Kaskoden der Serie UJ3C1200 von UnitedSiC erhöhen. Mit einer Nennspannung von 1200 V und einem Durchlasswiderstand von 80 oder 40 mΩ sind sie ein direkter Ersatz für viele bestehende IGBTs, Si-MOSFETs und SiC-MOSFETs, ohne die Gate-Ansteuerung verändern zu müssen.

Basierend auf der dritten Generation der SiC-Transistortechnologie von UnitedSiC enthält die Serie einen SiC-JFET mit einem kundenspezifischen Si-MOSFET. Damit steht dem Hersteller zufolge die ideale Kombination aus Normal-Off-Betrieb, hochleistungsfähiger Body-Diode und einfacher Gate-Ansteuerung des MOSFETs mit dem Wirkungsgrad, der Geschwindigkeit und Temperaturbelastungsfähigkeit eines SiC JFET zur Verfügung.

Bestehende Systeme können damit eine höhere Leistungsfähigkeit erzielen – bei geringeren Leitungs- und Schaltverlusten, verbesserten thermischen Eigenschaften und integriertem Gate-ESD-Schutz. In neuen Designs ermöglicht die Serie höhere Schaltfrequenzen, um leistungsfähigere Systeme mit höherer Energieeffizienz als auch kleinere und kostengünstigere passive Bauelemente zu ermöglichen. Die SiC-FETs sind ab sofort über lizenzierte Distributoren erhältlich.

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