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20x schneller als NAND: Crossbar kündigt 'low-power' RRAMs mit TByte-Kapazitäten an

Der kalifornische Start-up Crossbar, Inc. meldete sich jetzt erstmals in der Öffentlichkeit mit einer speziellen RRAM-Technologie (Resistive RAM), mit der sich laut Firmenangaben nunmehr NV-Speicher mit sehr hoher Kapazität und hoher Performance fertigen lassen sollen.

Der kalifornische Start-up Crossbar, Inc. meldete sich jetzt erstmals in der Öffentlichkeit mit einer speziellen RRAM-Technologie (Resistive RAM), mit der sich laut Firmenangaben nunmehr NV-Speicher mit sehr hoher Kapazität und hoher Performance fertigen lassen sollen.Diese neue Generation von NV-Speichern kann bis zu 1 TB an Daten auf einem Chip mit einer Die-Fläche von nur 200 mm2 aufnehmen. Diese Kapazität ist gut für rund 250 Stunden an HD-Filmen.Crossbar ließ weiterhin verlauten, dass man ein funktionierendes Speicher-Array in einer kommerziellen Fab entwickelt hätte, was als wichtiger Meilenstein in Richtung einer kommerziellen Fertigung anzusehen ist.Aufgrund einer einfachen Struktur mit drei Ebenen lässt sich die Crossbar-Technologie relativ einfach in einem 3-D-Stapel anordnen, wobei die CMOS-Kompatibilität es erlaubt, die notwendige Logik auf den Chips zu integrierenDie Crossbar-Speicherzelle besteht aus drei einfachen Schichten: Unten befindet sich eine nichtmetallische Elektrode, auf der sich ein amorphes Schaltmedium aus Silizium befindet. Die dritte Ebene ist die metallische Top-Elektrode. Der Mechanismus der Widerstandsschaltung basiert auf der Formung eines Filaments im Schaltmaterial durch das Anlegen einer Spannung an die beiden Elektroden. Diese einfache und sehr skalierbare Struktur einer Speicherzelle bringt eine neue Klasse von RRAMs mit sich, die problemlos in eine standardisierte CMOS-Fertigung einbezogen werden kann."NV-Speicher sind heute als Speichertechnologie im Kern eines Elektronikmarktes von mehr als 1 Billion Dollar allgegenwärtig - von Tablets und USB-Sticks bis zu großen Speichersystemen," sagte George Minassian, CEO von Crossbar, Inc."Und trotzdem verlieren die heutigen NV-Speicher-Technologien an Durchschlagskraft, denn sie stoßen an ihre Skalierungsgrenzen. Mit unserem funktionierenden Crossbar-Array erreichten wir alle wichtigen Meilensteine, die beweisen, dass unsere RRAM-Technologie einfach zu fertigen und für die Kommerzialisierung bereit ist."Die neue Speichertechnologie soll im Vergleich zu den derzeit besten NAND-Flashspeichern eine 20x bessere Schreib-Performance, einen 20x geringeren Leistungsverbrauch und eine 10x bessere Beständigkeit bieten - und das alles mit nur einem halben Die. Man verspricht sich von dieser Speichertechnologie eine neue Welle von Produkten in den Bereichen Consumerelektronik, Mobilgeräte und Industrie.NV-Speicher sind die gebräuchlichste Speichertechnologie für die Code- und Datenspeicherung (NOR/NAND) in vielen Elektronikapplikationen. Nach Angaben des Marktforschers Webfeet Research soll der Markt der NV-Speicher in 2016 ein Marktvolumen von 48,4 Milliarden Dollar erreichen.Crossbar plant die Markteinführung von selbstständigen Chip-Lösungen, die sowohl für die Code- als auch Datenspeicherung optimiert sind und damit NOR- und NAND-Flashspeicher ablösen. Das Unternehmen plant auch die Lizenzierung ihrer Technologie an SoC-Entwickler.Crossbar vervollständigt derzeit die Beschreibung der Kennwerte und Optimierung des Speicherbauelementes und hofft, diesen NV-Speicher erstmals im embedded SoC-Markt einzuführen (wr).

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