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40-Volt-Automotive-MOSFETs in doppelseitig kühlbaren Gehäusen

Toshiba stellt mit dem TPWR7940PB und dem TPW1R104PB zwei 40-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs im Gehäuse DSOP-Advance (WF) vor, das eine beidseitige Kühlung ermöglicht. Der TPWR7940PB ist ein 40-V-MOSFET mit einem Einschaltwiderstand RDS(ON) von maximal 0,79 mΩ im DSOP-Advance-L (WF), und beim TPW1R104PB handelt es sich um einen 40-V-MOSFET mit einem RDS(ON) von maximal 1,14 mΩ im DSOP-Advance-M (WF).

Beide Bausteine basieren auf dem U-MOSIX-H-Trench-Prozess und sind AEC-Q101-qualifiziert. Die Gehäuse sind jeweils 5 mm x 6 mm groß und mit acht Pins ausgestattet. Sie unterscheiden sich in der Größe ihrer freiliegenden Metalloberfläche. Diese beträgt etwa 8 mm2 beim DSOP-Advance-M und etwa 12 mm2 beim DSOP-Ad­vance-L. Messungen ergaben eine maximale Wärmeimpedanz zwischen Kanal und Metalloberfläche von 1,5 K/W für den TPW1R104PB und 0,93 K/W für den TPWR7940PB. Dieses sehr gute Wärmeverhalten ist auf die Befestigung der freiliegenden Oberfläche über eine isolierende Schicht an einen Kühlkörper, wie einen Metallrahmen, zurückzuführen.

Beide Gehäuse beanspruchen die gleiche Stellfläche wie ein SOP-Ad­vance (WF), das keine freiliegende Metalloberfläche besitzt. Die Serienfertigung der Bausteine hat laut Hersteller im August 2018 begonnen.

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