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600-Volt-MOSFETs für niederfrequente ­Anwendungen

Zu den Hauptmerkmalen der 600-V-CoolMOS-S7-Produktfamilie von Infineon zählen die Optimierung der Leitungsverluste, der verbesserte thermische Widerstand und die Fähigkeit, hohe Pulsströme zu übertragen. Die 10-mΩ-CoolMOS-S7-MOSFETs minimieren laut Herstellerangaben die Leitungsverluste und gewährleisten eine sehr kurze Ansprechzeit zusammen mit einem erhöhten Wirkungsgrad für niederfrequente Schaltanwendungen.

Die Bausteine liefern im Vergleich zu CoolMOS-7-Bauteilen einen noch geringeren RDS(on) x A, um die Schaltverluste auszugleichen. Darüber hinaus ist es gelungen, den 10-mΩ-Chip in ein oberseitengekühltes QDPAK sowie den 22-mΩ-Chip in ein kleines TOLL-SMD-Gehäuse (TO-Leadless) einzupassen. Systeme auf Basis dieser Bauteile erfüllen die Anforderungen und Zertifizierungsstandards für Energieeffizienz (etwa Titan für Schaltnetzteile) sowie die Leistungsbudgets. Sie verringern zudem die Anzahl der benötigten Bauteile, Kühlkörper und Gesamtbetriebskosten (Total Cost of Ownership, TCO).

Der 22-mΩ-600-V-CoolMOS-S7-Baustein ist in TOLL- und TO-220-Gehäusen verfügbar, die 40-mΩ- und 65-mΩ-Bausteine sind in TOLL-Gehäusen erhältlich. Der 10-mΩ-CoolMOS-S7-MOSFET soll im 4. Quartal 2020 auf Lager sein.

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