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650-Volt-SiC-FETs verbessern High-Voltage-Fähigkeit

UnitedSiC hat das Portfolio an 650-V-SiC-FETs um sieben Varianten in TO220-3L- und D2PAK-3L-Gehäusen erweitert. Die neuen Bausteine der UJ3C- (universal) und UF3C-Serien (hart geschaltet) kommen in Stromversorgungen, Telekom-Gleichrichtern und On-Board-Ladegeräten in Servern für Rechenzentren, 5G-Basisstationen und Elektrofahrzeugen zum Einsatz.

Beide SiC-FET-Serien basieren auf der Kaskodenschaltungskonfiguration von UnitedSiC, bei der ein Normal-Ein-SiC-JFET gemeinsam mit einem Si-MOSFET verbaut wird, um einen Normal-Aus-SiC-FET mit Standard-Gate-Ansteuerung zu erzeugen. Daher können Entwickler bestehende Systeme aufrüsten, ohne die Gate-Treiberspannung ändern zu müssen, indem sie ihre vorhandenen Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bausteine durch die SiC-FETs von UnitedSiC ersetzen und so geringere Leitungs- und Schaltverluste, verbesserte thermische Eigenschaften und einen integrierten Gate-ESD-Schutz erzielen. Bei neuen Designs ermöglichen die FETs höhere Schaltfrequenzen, um sowohl den Wirkungsgrad zu steigern als auch die Baugrößen und die Kosten passiver Bauelemente zu reduzieren.

Das dreipolige TO220-3L-Standardgehäuse bietet verbesserte thermische Eigenschaften. Das dreipolige D2PAK-3L-Standardgehäuse zielt auf SMD-Anwendungen ab und ist nach IPC und JEDEC mit der Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe 1 zertifiziert.

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