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650-Volt-SiC-MOSFETs bieten hohe Leistungsdichte

Cree hat sein Produktportfolio um Siliziumkarbid-MOSFETs mit 650 V von Wolfspeed erweitert. Dank ihrer hohen Leistungsdichte bieten sie die Grundlage für die nächste Generation von Onboard-Ladegeräten in Elektrofahrzeugen, von Datenzentren sowie von erneuerbaren Systemen.

Die Bauelemente mit 15 und 60 mΩ basieren auf der C3M-Technologie der dritten Generation von Cree. Laut Hersteller sorgen sie für 20 % niedrigere Schaltverluste gegenüber herkömmlichen Siliziumkarbid-MOSFETs und bieten sehr niedrige Einschaltwiderstände. Endanwender profitieren von niedrigen Gesamtbetriebskosten, die sich aus dem effizienten Energieeinsatz, geringem Kühlungsbedarf und hoher Zuverlässigkeit ergeben.

Die 650-V-Siliziumkarbid-MOSFETs von Wolfspeed sind ab sofort in Gehäusen für die Durchsteck- und Oberflächenmontage verfügbar.

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