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650-Volt-SiC-MOSFETs

Infineon erweitert sein Siliziumkarbid-Portfolio um 650-V-Bauelemente. Die neuen CoolSiC-MOSFETs haben Einschaltwiderstände zwischen 27 und 107 mΩ. Neben den Ausführungen im TO-247-Gehäuse mit drei Pins gibt es auch Varianten mit vier Pins, die geringere Schaltverluste ermöglichen.

Infineon fertigt die SiC-Leistungshalbleiter in einer Trench-Technologie, um geringste Schalt- und Leistungsverluste sowie eine hohe Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Darüber hinaus zeichnen sich die MOSFETs laut Hersteller durch einen sehr hohen Verstärkungsfaktor, eine Schwellenspannung von 4 V und hohe Kurzschlussrobustheit aus. Außerdem weisen sie eine sehr geringe Abhängigkeit des Einschaltwiderstands von der Temperatur auf.

Um das Design mit den CoolSiC-MOSFETs zu vereinfachen und deren hocheffizienten Betrieb zu ermöglichen, bietet Infineon galvanisch isolierte ein- und zweikanalige Gate-Treiber-ICs an.

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