sonst. Diskrete -

Automotive-qualifizierter GaN-FET

Hy-Line Power Components stellt den AEC-Q101- und JEDEC-qualifizierten GaN-FET der 3. Generation TPH3205WSBQA von Transphorm vor. Er kann bei Temperaturen bis 175 °C betrieben werden und bietet damit 25 °C mehr thermische Reserve bei der Entwicklung von Stromversorgungen als ein herkömmlicher Hochspannungs-MOSFET. Außerdem weist der GaN-FET geringere elektromagnetische Störungen, eine FIT-Rate von 3 und mit einer Schwellenspannung von 4 sowie einem Plateau von 8 V eine höhere Störsicherheit auf. Sein Gate hält Spannungen von bis zu ±20 V stand, sein On-Widerstand beträgt 35 mΩ.

Der Leistungshalbleiter ist in einem TO-247-Gehäuse verbaut. Er eignet sich für stationäre und mobile AC/DC-Ladegeräte, DC/DC-Wandler sowie für Wechselrichter. Typische Anwendungsgebiete sind Hybrid- und Elektrofahrzeuge, Industrie- und Energieerzeugungsanlagen sowie USV.

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