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Erster GaN-FET von Nexperia

Mit der Vorstellung des GAN063-650WSA hat Nexperia seinen Eintritt in den Markt für Galliumnitrid-FETs bekannt gegeben. Der 650-V-Transistor mit einer Gate-Source-Spannung von ±20 V ist für den Temperaturbereich von -55 bis +175 °C ausgelegt. Dank niedrigem RDS(on) (ab 60 mΩ) und hohen Schaltgeschwindigkeiten weist er laut Hersteller einen hohen Wirkungsgrad auf. Erhältlich ist das Bauelement im TO-247-Gehäuse.

Nexperia adressiert mit seinen GaN-FETs Hochleistungsanwendungen, etwa Elektrofahrzeuge, Datenzentren und Telekommunikationsinfrastruktur sowie die industrielle Automation und High-End-Netzteile. Der robuste GaN-on-Silicon-Prozess ist skalierbar, da die Wafer in vorhandenen Fertigungsanlagen hergestellt werden können.

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