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Fahrzeugtaugliche MOSFETs sparen Platz

Rohm bietet die MOSFET-Serie RV4xxx mit AEC-Q101-Qualifizierung an. Es sind Versionen mit typischen Einschaltwiderständen von 75 bis 400 mΩ, Drain-Source-Spannungen von 20 und 30 V, Drain-Strömen von 2,0 und 3,1 A sowie Steuerspannungen von 2,5 und 4,0 V erhältlich.

Die MOSFETs sind in einem DFN1616-Gehäuse mit Abmessungen von 1,6 x 1,6mm² verbaut. In Verpolungsschutzschaltungen von ADAS-Kameramodulen sparen sie bei einer Stromaufnahme von 2,0 A 30 % Bestückungsfläche im Vergleich zu Schottky-Barrieredioden, mit Bodenelektroden bis zu 78 %, ein. Dank Wettable Flanks wird die für Fahrzeuganwendungen erforderliche Elektrodenhöhe von 130 µm eingehalten. Auch bei Bodenelektroden ist somit AOI möglich.

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