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FRAM mit 8 Megabit Kapazität

Vor allem für Anwendungen, bei denen ein hoher Datendurchsatz und die Integrität der Daten wichtig sind, bringt Fujitsu den FRAM-Baustein MB85R8M2T auf den Markt (Vertrieb: Rutronik). Der ferroelektrische Speicher mit einer Kapazität von 8 MBit (512 K x 16 Bit) ist laut Anbieter in der Lage, sowohl ein SRAM als auch die dazugehörige Backup-Batterie zu ersetzen, und ermöglicht so kompaktere Designs zu niedrigeren Kosten.

Mit einer Lebensdauer von mehr als 10 Billionen Schreib- und Lesezyklen soll sich der Baustein vor allem für industrielle Anwendungen eignen, bei denen die Daten häufig überschrieben werden. Er ist in einem FBGA-48-Gehäuse mit Abmessungen von 8 x 6 mm² verfügbar, mit einer SRAM-kompatiblen parallelen Schnittstelle ausgestattet und für Versorgungsspannungen von 1,8 bis 3,6 V ausgelegt.

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