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GaN-Transistor für Servernetzteile

Alpha und Omega Semiconductor (AOS) stellt den GaN-650-V-Transistor AONV070V65G1 vor, das erste Produkt der Technologieplattform αGaN. In Servernetzteilen reduziert er den Kühlbedarf und die Energiekosten. Der normal sperrende FET mit einem RDS(on) von 70 mΩ weist geringe Gate-Leckströme im Durchlasszustand auf und lässt sich mit handelsüblichen Gate-Treibern für MOSFETs ansteuern. Die Gate-Ladung beträgt 6,9 nC, um das Zehnfache geringer als mit Siliziumsubstrat, und es tritt keine Sperrverzögerungsladung auf.

Das DFN-Gehäuse mit niedriger Induktivität verfügt über eine große Lötfläche zur Wärmeabfuhr sowie einen separaten Klevin-Sense-Pin für eine besser kontrollierbare Schaltgeschwindigkeit.

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