Power-Management -

Halbbrückentreiber mit integrierter Bootstrap-Diode

Infineon erweitert sein EiceDriver-Portfolio um 650-V-Halbbrückentreiber, die auf der firmeneigenen SOI-Technologie (Silicon-on-Insulator) basieren. Sie bieten Immunität gegen negative Transienten, eine monolithisch integrierte Bootstrap-Diode sowie hohe Latch-up-Festigkeit für MOSFET- und IGBT-basierte Inverter.

Die Serie 2ED218x mit 2,5 A Ausgangsstrom ist für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz wie Induktionsherde, Klimakompressoren, Schaltnetzteile und USV ausgelegt. Mit 0,7 A Ausgangsstrom zielt die Serie 2ED210x auf Anwendungen mit geringerer Leistung, etwa Hausgeräte, Elektrowerkzeuge und Lüfter.

Erhältlich sind Varianten mit Abschaltfunktionalität sowie getrennter Bezugsmasse für Logik und Leistung. Die Bootstrap-Diode bietet eine kurze Sperrerholzeit mit einem typischen Bahnwiderstand von 30 Ω. Die Totzeit mit Kreuzleitungslogik sowie die unabhängige Unterspannungsabschaltung der Hoch- und Niederspannungsversorgungen gewährleisten den sicheren Betrieb. Die Laufzeitverzögerung der Gate-Treiber beträgt 200 ns.

Die Treiber sind in den SOIC-Gehäusen DSO-8- und DSO-14 erhältlich und pinkompatibel zu den früheren Bauteilen IR(S)218x beziehungsweise IR(S)210x.

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