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Mehr Wirkungsgrad mit SiC und GaN Hochspannung im Auto

Halbleiter mit breitem Bandabstand werden immer attraktiver für Hochstrom-Automobilanwendungen. Die große Bandlücke von Siliziumkarbid und Galliumnitrid hat Vorteile im Hochspannungsbetrieb von 600 bis 1700 V. Ebenfalls möglich werden höhere Frequenzen, was beispielsweise eine kompaktere Bauweise und einen besseren Wirkungsgrad in Umrichtern und Traktionsmotoren bewirkt.

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