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IGBT sorgt für hohe Schaltungseffizienz

Rohm hat die dritte Generation seiner 650-V-IGBTs bekanntgegeben. Mit ihrem sanften und hocheffizienten Schaltverhalten eignen sie sich laut Hersteller für industrielle Anwendungen und Hausgeräte. Gegenüber dem bestehenden Angebot an IGBTs kommt in den neuen Bausteinen eine dünnere Waferstruktur im Verbund mit Field-Stop- und Trench-Gate-Technologien zum Einsatz, um eine bessere Performance und höhere Schaltfrequenzen zu erreichen.

Dank der Field-Stop-Struktur weisen die IGBTs einen geringeren Trägerkonzentrationsgradienten in der Driftregion auf, was zu einer besseren Ladungsträgerverteilung führt. Dies wiederum ermöglicht eine niedrigere Sättigungsspannung und eine Anhebung der Schaltgeschwindigkeit. Die Trench-Gate-Struktur sorgt für eine geringere Gateladung und -kapazität.

Die 650-V-IGBTs der dritten Generation umfassen in der Serie RGTV Typen für 30, 50 und 80 A und in der Serie RGW Ausführungen für 30, 40 und 50 A. Zur Auswahl stehen die beiden Gehäusebauarten TO-247N und TO-3PFM. Während die Serie RGTV für Anwendungen vorgesehen ist, die nach erhöhter Kurzschlusssicherheit verlangen, ist die RGW-Serie mit ihrer niedrigen Gateladung und -kapazität sowie ihren geringen Schaltverlusten speziell für Wandler ausgelegt.

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