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Industrielle und Automotive-qualifizierte SiC-MOSFETs

ON Semiconductor hat zwei neue SiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) vorgestellt: die Industrieausführung NTHL080N120SC1 und den AEC-Q101-qualifizierten NVHL080N120SC1 für Automotive-Anwendungen. Ihren Leistungsvorteil spielen die WBG-Halbleiter (Wide Band Gap) beispielsweise in Automotive-DC/DC- und Onboard-Ladesystemen für Elektrofahrzeuge, der Solartechnik und unterbrechungsfreien Stromversorgungen für Server aus.

Die 1200-V- und 80-mΩ-SiC-MOSFETs sind robust und entsprechen den Anforderungen moderner HF-Designs. Sie kombinieren laut Hersteller eine hohe Leistungsdichte mit hocheffizientem Betrieb, sodass die Betriebskosten und die Größe des Gesamtsystems reduziert sind. Außerdem ist weniger Aufwand beim Wärmemanagement erforderlich, was die Stücklistkosten, die Größe und das Gewicht weiter verringert.

Zu den Hauptmerkmalen der neuen Bauteile zählen ein niedriger Leckstrom, eine schnelle intrinsische Diode mit niedriger Umkehr-Erholungsladung (Reverse Recovery Charge), die eine geringe Verlustleistung und einen Betrieb mit hohen Frequenzen ermöglicht, sowie das schnelle Ein- und Ausschalten in Kombination mit einer niedrigen Vorwärtsspannung, um die Gesamtleistungsverluste und damit den Kühlbedarf zu reduzieren. Eine niedrige Bauteilkapazität unterstützt das Schalten bei sehr hohen Frequenzen, was EMI-Probleme reduziert. Hohe Stromstoßfestigkeit, Lawinendurchbruchsfestigkeit und Robustheit gegen Kurzschlüsse steigern die Zuverlässigkeit und verlängern die Lebensdauer.

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