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Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand

Toshiba hat neue Superjunction-Leistungs-MOSFETs vorgestellt, die unter anderem in Stromversorgungen zum Einsatz kommen sollen. Das erste Mitglied dieser Serie DTMOS VI ist der 650-V-Baustein TK040N65Z, der Drain-Dauerströme bis 57 A (gepulst bis 228 A) unterstützt.

Sein niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 0,04 Ω sorgt für geringe Verluste. Das Produkt aus RDS(on) und QGD wurde gegenüber dem Vorgänger DTMOS IV-H um 40 % verringert, womit sich der Wirkungsgrad einer Stromversorgung um 0,36 % verbessert (gemessen an einem 2,5-kW-Schaltkreis mit PFC). Das TO-247-Gehäuse des MOSFETs ist kompatibel zu bisherigen Designs.

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