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Nicht flüchtiger SRAM für den erweiterten Temperaturbereich

Anvo-Systems hat den seriellen nvSRAM (non-volatile) ANV32A62ASE1 mit I²C Interface präsentiert, der für Temperaturen von -40 bis +105 °C spezifiziert ist. Der Baustein zeichnet sich durch eine Speicherkapazität von 64 KByte, eine Taktrate von 1 MHz und einen Strombedarf von typischen 0,5 mA aus. Eine Data Retention (Datenerhalt) von zehn Jahren sorgt für eine hohe Zuverlässigkeit und Systemsicherheit.

Jede SRAM-Zelle integriert ein nicht flüchtiges Sonos-Speicherelement, das die Speicherung aller Daten bei einem unvorhersehbaren Abfall der Betriebsspannung sicherstellt. Das nvSRAM ist laut Hersteller gekennzeichnet durch kurze Zugriffs- und Zykluszeiten sowie unbegrenzte Schreib- und Lesezyklen (Write/Read Endurance), die vergleichbar sind zu Standard-SRAMs.

Anvo-Systems liefert das ANV32A62ASE1 in einem kompakten, RoHS entsprechenden Achtpin-SOIC-Gehäuse. Es ist für eine Betriebsspannung von 3,3 V ausgelegt.

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