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Robuster Hot-Swap-MOSFET

Alpha and Omega Semiconductor hat den AONS32100-MOSFET vorgestellt. Dank niedrigem RDS(on)-Wert bei gleichzeitig hohen SOA-Fähigkeiten (Safe Operating Area) eignet er sich für anspruchsvolle Anwendungen wie Hot Swap und E-Fuse. Der robuste 25-V-MOSFET ist im DFN-5x6-Gehäuse untergebracht. Er weist einen maximalen RDS(on)-Wert von 0,73 mΩ bei einer angelegten Gate-Source-Spannung von 10 V auf. Unter der SOA-Messbedingung von 12 V und 25 ms beträgt der maximale Strom des AONS32100 22 A.

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