sonst. Diskrete -

Serienproduktion von CoolSiC-MOSFETs ausgeweitet

Infineon erweitert das bestehende Produktspektrum seiner 1200-V-CoolSiC-MOSFETs und startet die Serienproduktion eines umfassenden Portfolios von diskreten Bauteilen. Diese sind mit Widerstandswerten von 30 bis 350 mΩ erhältlich und werden in den Gehäusen TO247-3 sowie TO247-4 angeboten. Das erweiterte Angebot umfasst auch ein Portfolio in SMD-Gehäusen und eine Produktfamilie von 650-V-CoolSiC-MOSFETs. Die CoolSiC-Trench-Technologie erlaubt eine besonders hohe Schwellenspannung von mehr als 4 V. Gleichzeitig weist sie eine geringe Miller-Kapazität auf.

Zusammen mit einer nominellen Gate-Source-Einschaltspannung von +18 V mit 5 V Marge bis zu einer maximalen Spannung von +23 V bietet der neue diskrete SiC-MOSFET einen Wirkungsgradvorteil nicht nur im Vergleich zu Silizium-IGBTs und Super-Junction-MOSFETs, sondern auch zu anderen SiC-MOSFETs. Die neuen MOSFETs im TO247-Gehäuse können ab sofort bestellt werden, erhältlich sind sie in Standardlieferzeit. Die SMD-Varianten im D²PAK-7-Gehäuse mit denselben Einschaltwiderständen sollen als Muster im vierten Quartal 2019 zur Verfügung stehen, ebenso wie Muster der 650-V-CoolSiC-MOSFETs im TO247-3- und TO247-4-Gehäuse mit Widerstandswerten zwischen 26 und 107 mΩ.

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