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SiC-basierter Hybrid-IGBT

ON Semiconductor hat einen Hybrid-IGBT auf Basis von Siliziumkarbid vorgestellt. Der AFGHL50T65SQDC mit neuester Field-Stop-IGBT- und SiC-Schottky-Diodentechnologie sorgt für niedrige Leitungs- und Schaltverluste in verschiedenen Leistungselektronikanwendungen – auch in jenen, die verringerte Sperrverzögerungsverluste aufweisen, wie die Totem-Pole-basierte brückenlose Leistungsfaktorkorrektur und Wechselrichter.

Der Baustein vereint einen IGBT auf Siliziumbasis mit einer SiC-Schottky-Barrierediode, um einen Kompromiss zwischen Leistungsfähigkeit und Kosten zu erzielen. Der AFGHL50T65SQDC ist für den Betrieb mit 650 V ausgelegt und kann Dauerströme bis 100 A bei 25 °C (50 A bei 100 °C) sowie Impulsströme bis 200 A verarbeiten. Für Systeme, die eine höhere Stromtragfähigkeit erfordern, ermöglicht ein positiver Temperaturkoeffizient einen einfachen und komfortablen Parallelbetrieb.

Der IGBT kann mit Sperrschichttemperaturen bis 175 °C betrieben werden und ist für Anwendungen im Automobilbereich geeignet. Er ist AEC-Q101-qualifiziert und beispielsweise für den Einsatz in EV- und HEV-On-Board-Ladegeräten vorgesehen.

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