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SiC-Modul für 300 A

Rohm hat ein rein SiC-basiertes Power-Modul für Wechselrichter entwickelt. Das 1200-V-Modul BSM300D12P2E001 mit einem Nennstrom von 300 A soll gegenüber konventionellen IGBT-Modulen um 77 % reduzierte Schaltverluste aufweisen. Durch die höheren Schaltfrequenzen können kleine Peripheriebauteile wie Induktivitäten und Kondensatoren verwendet werden.

Um den beim Schalten auftretenden Spannungsspitzen Rechnung zu tragen, wurde das Schaltungslayout optimiert und so die interne Induktanz halbiert. Das Power-Modul enthält eine SiC-Schottkydiode, einen SiC-MOSFET und einen Thermistor in einem Gehäuse, dessen Abmessungen denen herkömmlicher IGBT-Module entsprechen.

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