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SiC-MOSFET-Gatetreiber für hohe Energie­effizienz

Power Integrations hat mit dem SCALE-iDriver SIC1182K einen energie­effizienten Einkanal-SiC-MOSFET-Gatetreiber präsen­tiert. Er liefert bei einer Sperr­schicht­tempe­ratur von 125 °C bis zu 8 A Ausgangs­strom und unter­stützt dadurch ohne Booster-Stufe SiC-MOSFET-Umrichter­designs mit Leis­tungen von bis zu einigen Hundert Kilowatt. Dies führt zu einer hohen Systemeffizienz und ermöglicht es OEMs, mit einem einzigen Treiberdesign ihr gesamtes Produktportfolio an Umrichtern unterschiedlicher Leistungsklassen abzudecken. Der Treiber erlaubt Schalt­frequenzen bis 150 kHz und kann für unter­schied­liche Gatetreiber­span­nungen konfi­gu­riert werden, sodass er viel­seitig ein­setz­bar ist und sich für eine Viel­zahl von SiC-MOSFET-Typen eignet.

Die im SIC1182K integrierte Signal­über­tra­gungs­tech­no­logie FluxLink ersetzt Opto­koppler und kapazitive oder silizium­basierte Lösungen und verleiht dem Treiber eine hohe Zuver­läs­sig­keit sowie verstärkte Iso­lation bis 1200 V. SCALE-iDriver-Bausteine bieten außer­dem systemkritische Schutz­funktionen, darunter Entsätti­gungs­über­wachung, Strom­abfrage (SENSE), primär- und sekundärseitige Unter­spannungs­abschal­tung (UVLO) sowie Advanced Active Clamping (AAC). Die interne Kurz­schluss­schutz­funktion fährt die externe SiC-Leis­tungsstufe im Kurz­schluss­fall inner­halb von nur 5 µs sicher herunter.

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