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SiC-MOSFETs im TO-247-4L-Gehäuse

Die SiC-MOSFET-Serie SCT3xxx xR von Rohm beinhaltet drei 650- und drei 1200-V-Transistoren mit Trench-Gate-Struktur. Ihr TO-247-4L-Gehäuse mit vier Anschlüssen erhöht die Schaltleistung und reduziert laut Hersteller die Schaltverluste um bis zu 35 % gegenüber einem herkömmlichen TO-247N-Gehäuse.

Es stehen Modelle mit RDS(on)-Werte von 30, 60 oder 80 beziehungsweise 40, 80 oder 105 mΩ, Nennströmen von 70, 39 oder 30 beziehungsweise 55, 31 oder 24 A und maximalen Verlustleistungen von 262, 165 oder 134 beziehungsweise 262, 165 oder 134 W zur Auswahl. Sie sind für Temperaturen von -55 bis +175 °C spezifiziert.

Das dazugehörige Evaluierungsboard P02SCT3040KR-EVK-001 integriert Gate-Treiber-ICs (BM6101FV-C) für die Ansteuerung von SiC-Bauelementen, mehrere Stromversorgungs-ICs und diskrete Bauelemente. Es ist kompatibel zu TO-247-4L und TO-247N, wodurch es beide Gehäusetypen unter gleichen Bedingungen testen kann. Das Board eignet sich unter anderem für Doppelpulstests und zweistufige Wechselrichter.

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