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SiC-Schottky-Dioden mit 1200 Volt Sperrspannung

Mitsubishi hat eine SiC-Schottky-Diode angekündigt, die reduzierte Verlustleistung, flexibles Design (Topologie) und geringe Baugrößen der Peripheriekomponenten ermöglicht. Die SiC-Dioden in den diskreten Gehäusetypen TO-247 und TO-247-2 können die Energieverluste in Invertern um bis zu 21 % reduzieren. Zusätzlich ermöglicht es der Übergang zu höheren Schaltfrequenzen, kompaktere Peripheriekomponenten einzusetzen. Die Kombination aus Schottky-Barriere und pn-Übergang (JBS-Struktur) steigert die Zuverlässigkeit. Die Dioden mit 1200 V Sperrspannung in den Stromklassen 10 und 20 A werden laut Hersteller insbesondere den steigenden Anforderungen in der Photovoltaik und beim Laden von Elektrofahrzeugen gerecht.

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