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Simos und SemiQ schließen Kooperationsvertrag

Simos Elektronik erweitert sein Vertriebsprogramm um auf Siliziumkarbid basierende Leistungshalbleiter und Module von SemiQ. Zum Produktportfolio gehören SiC-Dioden (650, 1200 und 1700 V), SiC-MOSFETs (1200 V, 80 mΩ), SiC-MOSFET-Power-Module (Halbbrücke, Boost, Buck mit 600, 1200 und 1700 V) und SiC-Diodenbrücken (parallel, antiparallel, Vollbrücke, Chopper) sowie Si-IGBT-Power-Module (1200 V).

SemiQ führt die dritte Generation von SiC-Dioden ein. Diese Gen-3-Produkte verbessern laut Distributor die Zuverlässigkeit, die Stoßstromfähigkeit und die Feuchtigkeitsbeständigkeit.

Die eigene Fertigung des amerikanischen Halbleiterherstellers und die mehrfach redundante Lieferkette stellen laut eigenen Angaben eine zuverlässige Versorgung sicher. SemiQ-Produkte sind bereits im weltweiten Einsatz, etwa in medizinischen Netzteilen, Onboard-Ladegeräten für die Elektromobilität sowie in Industrie- und Solarinvertern.

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