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SLC-Speicher: Schneller als NAND, günstiger als DRAM

Toshiba Memory kündigt den Massenspeicher XL-Flash mit BiCS-3D-SLC-Technologie an. Als persistenter Speicher (SCM) erhält er Speicherinhalte dauerhaft, ähnlich einem NAND-Flash. Seine Geschwindigkeit und Speicherkapazität übersteigen die eines herkömmlichen NAND, der Preis liegt aber unter dem eines DRAM.

Es handelt sich um 128-GBit-Dies im Zwei-, Vier- oder Acht-Die-Package. 4 KByte Page-Size ermöglichen dem Betriebssystem schnelles Lesen und Schreiben. Eine 16-Ebenen-Architektur sorgt für effiziente Parallelität und kurze Page-Read- sowie Programmierzeiten.

Der Speicher ist mit einer Leselatenz von weniger als 5 µs etwa zehnmal so schnell wie TLCs. Er kann für SSDs oder für Bausteine auf einem DRAM-Bus, wie nichtflüchtige Industrie-DIMMs, eingesetzt werden.

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