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Source-Down-Konzept bei 25-Volt-MOSFETs umgesetzt

Dank Source-Down-Konzept erzielen die 25-V-MOSFETs der OptiMOS-Reihe von Infineon sehr gute Werte beim thermischen Management. Dabei verbinden sie das Source-Potenzial mit dem thermischen Pad anstatt mit dem Drain.

Zwei Versionen stehen im 3,3 x 3,3 mm² großen PQFN-Gehäuse zur Verfügung: Standard- und Center-Gate. Standard-Gate basiert auf der gängigen Anschlussbelegung. Die elektrischen Anschlüsse bleiben unverändert, sodass sich bisherige Drain-Down- einfach gegen die Source-Down-Gehäuse austauschen lassen. Bei Center-Gate ist der Gate-Pin zum Zentrum des Gehäuses versetzt. Dies erleichtert eine parallele MOSFET-Konfiguration.

Aufgrund der größeren Kriechstrecke zwischen Drain und Source können die Gates mehrere Bauelemente der gleichen Leiterplattenebene kontaktieren. Zusätzlich verbessert der größere Source-Bereich die elektrische Verbindung zwischen den Komponenten.

Source-Down reduziert den Durchlasswiderstand RDS(on) um bis zu 30 % im Vergleich zur bisherigen Technologie. Außerdem verbessert sich laut Hersteller der thermische Widerstand RthJC zwischen Silizium und dem Gehäuse gegenüber herkömmlichen PQFN-Gehäusen. Die Designs profitieren von reduzierten parasitären Effekten und kleineren Leiterplattenverlusten.

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