Power-Management -

Strahlungsharte MOSFETs für die Raumfahrt

IR HiRel, ein Tochterunternehmen von Infineon, hat die ersten strahlungsharten MOSFETs auf Basis der firmeneigenen Technologieplattform N-channel R9 auf den Markt gebracht.

Die 100-V-MOSFETs IRHNJ9A7130 und IRHNJ9A3130 sind für einen Drain-Strom von 35 A ausgelegt und sollen sich für missionskritische Raumfahrtanwendungen eignen, die eine Lebensdauer von mindestens 15 Jahren erfordern. Sie sind gegen ionisierende Strahlung mit einer Gesamtdosis von 100 beziehungsweise 300 kRad immun. Ihr On-Widerstand (RDS(on)) ist mit typisch 25 mΩ rund ein Drittel niedriger als bei der vorherigen Generation.

Beide MOSFETs besitzen ein hermetisch dichtes, oberflächenmontierbares Keramikgehäuse, alternativ werden sie als Chip ohne Gehäuse angeboten.

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