Power-Management -

Strahlungstolerante PWM-Controller und FET-Treiber

Renesas präsentiert strahlungstolerante PWM-Controller und GaN-FET-Treiber im Kunststoffgehäuse für DC/DC-Stromversorgungen in Kleinsatelliten und Trägerraketen. Der Current-Mode-PWM-Controller ISL71043M und der Low-Side-Treiber ISL71040M eignen sich für isolierte Flyback- und Halbbrücken-Leistungsstufen sowie Motorsteuerungstreiber-ICs.

Der PWM-Controller bietet schnelle Signaldurchleitung und Ausgangsschaltung in einem 4 mm x 5 mm großen SOIC-Kunststoffgehäuse. Im Vergleich zu entsprechenden Keramikgehäusen verringert es den Platzbedarf auf der Leiterplatte auf ein Drittel. Darüber hinaus senkt der maximale Versorgungsstrom von 5,5 mA die Verlustleistung um mehr als ein Drittel. Seine einstellbare Betriebsfrequenz von bis zu 1 MHz ermöglicht einen höheren Wirkungsgrad sowie den Einsatz kleinerer passiver Filterkomponenten. Der GaN-FET-Treiber ermöglicht eine sichere Ansteuerung der strahlungsfesten GaN-FETs in isolierten Topologien und Boost-Konfigurationen. Er arbeitet mit einer Versorgungsspannung von 4,5 bis 13,2 V, einer Gate-Treiberspannung (VDRV) von 4,5 V, und verfügt über invertierende und nicht invertierende Eingänge. Um unbeabsichtigte Schaltvorgänge zu vermeiden, enthält er eine massefreie Schutzschaltung.

Die Bausteine durchlaufen Charakterisierungstests bei einer Gesamtdosis ionisierender Strahlung (TID) von bis zu 30 krad (Si) sowie bei einer linearen Energieübertragung (LET) von 43 MeV∙cm²/mg für die Auswirkungen von Einzelereignissen (SEE).

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