sonst. Diskrete -

High-Electron-Mobility-Transistoren Wenn nicht jetzt, wann GaN?

High-Electron-Mobility-Transistoren aus Galliumnitrid sind mittlerweile durch höhere Stückzahlen im Preis gesunken und dank integrierter Treiber einfacher in das Design einzufügen. Ihre Zeit ist gekommen, in Schaltnetzteilen MOSFETs und IGBTs aus Silizium zu ersetzen.

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